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LED란? (발광 다이오드) ?

주도의

주도의 (발광 다이오드), LED는 고체 반도체 소자이다., 그것은 빛을 전기로 유도할 수 있다. LED 칩의 핵심은 스텐트 한쪽 끝에 붙어 있는 반도체 칩이다., 이 끝은 부정적이다, 다른 쪽 끝은 양극 전원 공급 장치를 연결합니다.. 그리고 전체 패키지는 에폭시 수지로 함께 칩됩니다..

주도의

주도의

반도체 칩은 세 부분으로 구성됩니다., P형 반도체의 일부, 내부의 우세한 구멍, N형 반도체 반대편, 여기는 주로 전자, 중간은 보통 1-5 양자우물의 순환.

전자 지도된 도표

전자 지도된 도표

와이어를 통한 전류가 칩에 작용할 때, 양자 우물에 있는 전자와 정공은 전자-정공 복합체를 갖는 양자 우물에 있을 것입니다, 그리고 광자 에너지의 형태로 방출될 것입니다., 이것이 발광 LED의 원리이다. 빛의 파장은 빛의 색이며, 재질의 결정에 따라 PN 접합이 형성됩니다..
기존 LED는 다양한 무기 반도체 재료로 만들어졌습니다., 다음 표는 파장 범위에 따라 사용 가능한 색상을 보여줍니다., 전압 강하 및 재료:

색상

파장 (nm)

전압 (다섯)

반도체 소재

적외선

엘 > 760

디다섯 < 1.9

갈륨비소 (GaAs)
알루미늄 갈륨 비소 (AlGaAs)

빨간색

610 < 엘 < 760

1.63 < 디다섯 < 2.03

알루미늄 갈륨 비소 (AlGaAs)
갈륨비소인화물 (GaAsP)
알루미늄 갈륨 인듐 인화물 (AlGaInP)
갈륨(III) 인화물 (갭)

주황색

590 < 엘 < 610

2.03 < 디다섯 < 2.10

갈륨비소인화물 (GaAsP)
알루미늄 갈륨 인듐 인화물 (AlGaInP)
갈륨(III) 인화물 (갭)

노란색

570 < 엘 < 590

2.10 < 디다섯 < 2.18

갈륨비소인화물 (GaAsP)
알루미늄 갈륨 인듐 인화물 (AlGaInP)
갈륨(III) 인화물 (갭)

녹색

500 < 엘 < 570

1.9 < 디다섯 < 4.0

인듐 갈륨 질화물 (인가엔) / 갈륨(III) 질화물 (GaN)
갈륨(III) 인화물 (갭)
알루미늄 갈륨 인듐 인화물 (AlGaInP)
알루미늄 갈륨 인화물 (AlGaP)

파란색

450 < 엘 < 500

2.48 < 디다섯 < 3.7

아연 셀레나이드 (ZnSe)
인듐 갈륨 질화물 (인가엔)
실리콘 카바이드 (SiC) 기판으로
규소 (그리고) 기판으로 — (개발 중)

제비꽃

400 < 엘 < 450

2.76 < 디다섯 < 4.0

인듐 갈륨 질화물 (인가엔)

보라

여러 유형

2.48 < 디다섯 < 3.7

듀얼 파란색/빨간색 LED,
파란색과 빨간색 형광체,
또는 보라색 플라스틱이 있는 흰색

자외선

엘 < 400

3.1 < 디다섯 < 4.4

다이아몬드 (235 nm)
질화붕소 (215 nm)
질화알루미늄 (AlN) (210 nm)
알루미늄갈륨질화물 (AlGaN)
알루미늄갈륨인듐질화물 (알가인N) — (아래로 210 nm)

하얀색

넓은 스펙트럼

디다섯 = 3.5

노란색 형광체가 포함된 파란색/UV 다이오드

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