नेतृत्व किया (प्रकाश उत्सर्जक डायोड), LED एक ठोस अवस्था वाला अर्धचालक उपकरण है, यह प्रकाश को बिजली में निर्देशित कर सकता है. एलईडी चिप का हृदय एक सेमीकंडक्टर चिप है जो एक स्टेंट के एक सिरे से जुड़ा होता है, यह अंत नकारात्मक है, सकारात्मक बिजली आपूर्ति को जोड़ने के लिए दूसरा छोर. और पूरे पैकेज को एक साथ एपॉक्सी रेज़िन द्वारा चिप किया जाता है.
नेतृत्व किया
सेमीकंडक्टर चिप तीन भागों से बनी होती है, पी-प्रकार अर्धचालक का हिस्सा, जिसके अन्दर प्रमुख छिद्र है, एन-प्रकार अर्धचालक का दूसरा पक्ष, यहाँ मुख्यतः इलेक्ट्रॉनिक है, मध्य आमतौर पर होता है 1-5 क्वांटम कुएं के चक्र.
इलेक्ट्रॉनिक एलईडी आरेख
जब तार के माध्यम से विद्युत धारा चिप पर कार्य करती है, क्वांटम कुओं में इलेक्ट्रॉन और छेद इलेक्ट्रॉन-छेद परिसर के साथ क्वांटम कुएं में होंगे, और फिर फोटॉन ऊर्जा के रूप में जारी किया जाएगा, जो प्रकाश उत्सर्जक एलईडी का सिद्धांत है. प्रकाश की तरंग दैर्ध्य प्रकाश का रंग सामग्री के निर्णय से पीएन जंक्शन का निर्माण होता है.
पारंपरिक एलईडी विभिन्न अकार्बनिक अर्धचालक सामग्रियों से बनाए जाते हैं, निम्न तालिका तरंग दैर्ध्य रेंज के साथ उपलब्ध रंगों को दिखाती है, वोल्टेज ड्रॉप और सामग्री:
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रंग |
वेवलेंथ (एनएम) |
वोल्टेज (वी) |
अर्धचालक सामग्री |
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अवरक्त |
एल > 760 |
डीवी < 1.9 |
गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) |
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लाल |
610 < एल < 760 |
1.63 < डीवी < 2.03 |
एल्यूमिनियम गैलियम आर्सेनाइड (AlGaAs) |
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नारंगी |
590 < एल < 610 |
2.03 < डीवी < 2.10 |
गैलियम आर्सेनाइड फॉस्फाइड (GaAsP) |
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पीला |
570 < एल < 590 |
2.10 < डीवी < 2.18 |
गैलियम आर्सेनाइड फॉस्फाइड (GaAsP) |
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हरा |
500 < एल < 570 |
1.9 < डीवी < 4.0 |
इंडियम गैलियम नाइट्राइड (InGaN) / गैलियम(तृतीय) नाइट्राइड (गण मन) |
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नीला |
450 < एल < 500 |
2.48 < डीवी < 3.7 |
जिंक सेलेनाइड (ZnSe) |
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बैंगनी |
400 < एल < 450 |
2.76 < डीवी < 4.0 |
इंडियम गैलियम नाइट्राइड (InGaN) |
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बैंगनी |
अनेक प्रकार |
2.48 < डीवी < 3.7 |
दोहरी नीली/लाल एलईडी, |
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पराबैंगनी |
एल < 400 |
3.1 < डीवी < 4.4 |
डायमंड (235 एनएम) |
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सफ़ेद |
व्यापक परछाई |
डीवी = 3.5 |
पीले फॉस्फोर के साथ नीला/यूवी डायोड |
